参考まで
部品番号 | NTD3817N-1G |
LIXINC Part # | NTD3817N-1G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTD3817N-1G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NTD3817N-1G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 16 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 13.9mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 10.5 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±16V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 702 pF @ 12 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I-PAK |
パッケージ・ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
IPAN80R280P7XKSA1 | MOSFET N-CH 800V 17A TO220 | 1226 注文の詳細 |
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AOB600A60L | MOSFET N-CH 600V 8A TO263 | 1706 注文の詳細 |
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IRFU320 | MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA | 1806 注文の詳細 |
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CSD19538Q3A | MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON | 936 注文の詳細 |
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STN3N40K3 | MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223 | 5628 注文の詳細 |
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STLD200N4F6AG | MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT | 3400 注文の詳細 |
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SIHU5N80AE-GE3 | MOSFET N-CH 800V 4.4A TO251AA | 3842 注文の詳細 |
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SKI10123 | MOSFET N-CH 100V 66A TO263 | 841 注文の詳細 |
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SIDR610DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK | 2047 注文の詳細 |
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IRF7326D2TRPBF | MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO | 3172 注文の詳細 |
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SQD45P03-12_GE3 | MOSFET P-CH 30V 50A TO252 | 2887 注文の詳細 |
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FDB024N08BL7 | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7 | 1230 注文の詳細 |
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NVTJD4105CT1G | MOSFET 20V 0.63A SC-88 | 4116 注文の詳細 |
在庫あり | 15375 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.18000 | $0.18 |
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