STLD200N4F6AG

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部品番号 STLD200N4F6AG
LIXINC Part # STLD200N4F6AG
メーカー STMicroelectronics
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル STLD200N4F6AG PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

STLD200N4F6AG 仕様

部品番号:STLD200N4F6AG
ブランド:STMicroelectronics
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:STMicroelectronics
シリーズ:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:120A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):6.5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:1.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:4V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:172 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:10700 pF @ 10 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):158W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:PowerFlat™ (5x6) Dual Side
パッケージ・ケース:8-PowerWDFN

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