参考まで
部品番号 | FQI9N50TU |
LIXINC Part # | FQI9N50TU |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQI9N50TU PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQI9N50TU |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 500 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 9A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 730mOhm @ 4.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 36 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.45 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3.13W (Ta), 147W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I2PAK (TO-262) |
パッケージ・ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
NVLUS4C12NTAG | MOSFET N-CH 30V 6.8A 6UDFN | 820 注文の詳細 |
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AOW10N60 | MOSFET N-CH 600V 10A TO262 | 952 注文の詳細 |
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NTD4302T4G | MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK | 3025 注文の詳細 |
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AUIRFS8408-7P | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | 7980 注文の詳細 |
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DMP210DUFB4-7 | MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN | 1526760900 注文の詳細 |
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IRF740STRLPBF | MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK | 1822 注文の詳細 |
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IRFS830B | N-CHANNEL POWER MOSFET | 21151 注文の詳細 |
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BSP129L6906 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 16904 注文の詳細 |
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FDP6030BL | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 | 5617 注文の詳細 |
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IXFT94N30P3 | MOSFET N-CH 300V 94A TO268 | 2877 注文の詳細 |
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STL11N65M2 | MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H | 972 注文の詳細 |
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TSM3446CX6 RFG | MOSFET N-CHANNEL 20V 5.3A SOT26 | 8579 注文の詳細 |
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TT8U1TR | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST | 6014 注文の詳細 |
在庫あり | 11570 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.90000 | $0.9 |
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