参考まで
| 部品番号 | IRFS830B |
| LIXINC Part # | IRFS830B |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IRFS830B PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IRFS830B |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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BSP129L6906 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 16982 注文の詳細 |
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FDP6030BL | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 | 5721 注文の詳細 |
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IXFT94N30P3 | MOSFET N-CH 300V 94A TO268 | 2904 注文の詳細 |
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STL11N65M2 | MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H | 961 注文の詳細 |
 |
TSM3446CX6 RFG | MOSFET N-CHANNEL 20V 5.3A SOT26 | 8673 注文の詳細 |
 |
TT8U1TR | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST | 6036 注文の詳細 |
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SSM3J112TU,LF | MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM | 978 注文の詳細 |
 |
PMZ350XN,315 | MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3 | 20929 注文の詳細 |
 |
TP89R103NL,LQ | MOSFET N CH 30V 15A 8SOP | 941 注文の詳細 |
 |
FCPF650N80Z | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N | 1614 注文の詳細 |
 |
PMXB56ENZ | 30 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET | 924 注文の詳細 |
 |
PSMN085-150K,518-NEX | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | 910 注文の詳細 |
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TK65S04K3L(T6L1,NQ | MOSFET N-CH 40V 65A DPAK | 827 注文の詳細 |
| 在庫あり | 21115 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.25000 | $0.25 |
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