参考まで
部品番号 | RCJ200N20TL |
LIXINC Part # | RCJ200N20TL |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 200V 20A LPTS |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RCJ200N20TL PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | RCJ200N20TL |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | * |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | - |
テクノロジー: | - |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | - |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | - |
取付タイプ: | - |
サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
パッケージ・ケース: | - |
TK10A55D(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 550V 10A TO220SIS | 800 注文の詳細 |
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RD3P175SNFRATL | MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252 | 3336 注文の詳細 |
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APT58M50JU2 | MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 | 937 注文の詳細 |
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FQAF14N30 | MOSFET N-CH 300V 11.4A TO3PF | 1210 注文の詳細 |
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DMG301NU-7 | MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23 | 912 注文の詳細 |
|
SI3402-TP | MOSFET N-CHANNEL 30V 4A SOT23 | 3973 注文の詳細 |
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NTD4965N-1G | MOSFET N-CH 30V 13A/68A IPAK | 895 注文の詳細 |
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IRF40H210 | MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN | 8698 注文の詳細 |
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BUK7M5R0-40HX | MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33 | 2457 注文の詳細 |
|
SUP90220E-GE3 | MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB | 868 注文の詳細 |
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IRLZ14PBF-BE3 | MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB | 1689 注文の詳細 |
|
IPW60R099CP | MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1 | 958 注文の詳細 |
|
SUM110P04-05-E3 | MOSFET P-CH 40V 110A TO263 | 21359 注文の詳細 |
在庫あり | 11632 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.30000 | $2.3 |
1000 | $1.13100 | $1131 |
2000 | $1.09200 | $2184 |
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