参考まで
部品番号 | PMPB23XNE,115 |
LIXINC Part # | PMPB23XNE,115 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 20V 7A DFN2020MD-6 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | PMPB23XNE,115 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | PMPB23XNE,115 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 7A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 1.8V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 22mOhm @ 7A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 900mV @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 17 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±12V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.136 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | DFN2020MD-6 |
パッケージ・ケース: | 6-UDFN Exposed Pad |
2SJ168TE85LF | MOSFET P-CH 60V 200MA SC59 | 5466 注文の詳細 |
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PMV65ENEAR | MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB | 837 注文の詳細 |
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CSD17510Q5A | MOSFET N-CH 30V 20A/100A 8VSON | 1000 注文の詳細 |
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SIHA17N80E-E3 | MOSFET N-CHANNEL 800V 15A TO220 | 909 注文の詳細 |
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RTQ035N03HZGTR | MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6 | 3969 注文の詳細 |
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FDMS3008SDC | 29A, 30V, 0.0026OHM, N-CHANNEL, | 10001 注文の詳細 |
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IPN80R900P7ATMA1 | MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223 | 6262 注文の詳細 |
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BUZ73AE3046 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 943 注文の詳細 |
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SQ4850EY-T1_GE3 | MOSFET N-CH 60V 12A 8SO | 3334 注文の詳細 |
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APT10M19BVRG | MOSFET N-CH 100V 75A TO247 | 864 注文の詳細 |
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IPA60R199CPXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP | 910 注文の詳細 |
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BUK7212-55B,118 | MOSFET N-CH 55V 75A DPAK | 994 注文の詳細 |
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EPC2039 | GANFET N-CH 80V 6.8A DIE | 89936 注文の詳細 |
在庫あり | 465992 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.08000 | $0.08 |
3000 | $0.08000 | $240 |
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