参考まで
部品番号 | EPC2021 |
LIXINC Part # | EPC2021 |
メーカー | EPC |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | GANFET N-CH 80V 90A DIE |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | EPC2021 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | EPC2021 |
ブランド: | EPC |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | EPC |
シリーズ: | eGaN® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | GaNFET (Gallium Nitride) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 80 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 90A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 2.5mOhm @ 29A, 5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 14mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 15 nC @ 5 V |
vgs (最大): | +6V, -4V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1650 pF @ 40 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | Die |
パッケージ・ケース: | Die |
ZXMN3B04N8TA | MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO | 904 注文の詳細 |
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FQD5N20LTM | MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK | 2807 注文の詳細 |
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IXFH13N80 | MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD | 1498 注文の詳細 |
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IPA60R520E6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP | 953 注文の詳細 |
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DKI06186 | MOSFET N-CH 60V 31A TO252 | 941 注文の詳細 |
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IRFR4105TRLPBF | MOSFET N-CH 55V 27A DPAK | 998 注文の詳細 |
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IPT004N03LATMA1 | MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF | 866 注文の詳細 |
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IPW60R199CP | 16A, 600V, 0.199OHM, N-CHANNEL M | 806 注文の詳細 |
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SIRA01DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8 | 1932 注文の詳細 |
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IPD90N04S40-4ATMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 947 注文の詳細 |
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RM170N30DF | MOSFET N-CHANNEL 30V 170A 8DFN | 829 注文の詳細 |
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BSC882N03MSG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 24828 注文の詳細 |
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STW40N95DK5 | MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247 | 837 注文の詳細 |
在庫あり | 13022 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $7.91000 | $7.91 |
500 | $4.85915 | $2429.575 |
1000 | $4.38891 | $4388.91 |
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