参考まで
部品番号 | IPA60R520E6XKSA1 |
LIXINC Part # | IPA60R520E6XKSA1 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPA60R520E6XKSA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | IPA60R520E6XKSA1 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | CoolMOS™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 8.1A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 520mOhm @ 2.8A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3.5V @ 230µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 23.4 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 512 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 29W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO220-FP |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 Full Pack |
DKI06186 | MOSFET N-CH 60V 31A TO252 | 824 注文の詳細 |
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IRFR4105TRLPBF | MOSFET N-CH 55V 27A DPAK | 964 注文の詳細 |
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IPT004N03LATMA1 | MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF | 962 注文の詳細 |
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IPW60R199CP | 16A, 600V, 0.199OHM, N-CHANNEL M | 847 注文の詳細 |
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SIRA01DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8 | 1913 注文の詳細 |
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IPD90N04S40-4ATMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 875 注文の詳細 |
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RM170N30DF | MOSFET N-CHANNEL 30V 170A 8DFN | 852 注文の詳細 |
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BSC882N03MSG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 24819 注文の詳細 |
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STW40N95DK5 | MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247 | 985 注文の詳細 |
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STW10NK60Z | MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3 | 887 注文の詳細 |
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IPD90P03P4L04ATMA2 | MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31 | 930 注文の詳細 |
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SIHB24N65EF-GE3 | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK | 986 注文の詳細 |
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NVD5C460NT4G | MOSFET N-CH 40V 18A/70A DPAK | 3389 注文の詳細 |
在庫あり | 10846 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.65000 | $0.65 |
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