参考まで
部品番号 | 3LN01C-TB-H |
LIXINC Part # | 3LN01C-TB-H |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | 3LN01C-TB-H PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | 3LN01C-TB-H |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 150mA (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 1.5V, 4V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 3.7Ohm @ 80mA, 4V |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 1.58 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 7 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 250mW (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 3-CP |
パッケージ・ケース: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
APT42F50B | MOSFET N-CH 500V 42A TO247 | 1033 注文の詳細 |
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IPP034N03LGXKSA1 | MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 | 1417 注文の詳細 |
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DMP3036SSS-13 | MOSFET P-CH 30V 19.5A 8SO | 5603 注文の詳細 |
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NVJS4405NT1G | MOSFET N-CH 25V 1A SC88 | 856 注文の詳細 |
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TPN2R703NL,L1Q | MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON | 3474 注文の詳細 |
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STD7NM80-1 | MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK | 932 注文の詳細 |
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SI7858ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8 | 8728 注文の詳細 |
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FDMS86202ET120 | MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56 | 18473838 注文の詳細 |
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NP100P06PDG-E1-AY | MOSFET P-CH 60V 100A TO263 | 839 注文の詳細 |
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APT5010JVRU3 | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | 878 注文の詳細 |
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DMP6110SSS-13 | MOSFET P-CH 60V 8SOIC | 1878 注文の詳細 |
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IXFN20N120P | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | 1352 注文の詳細 |
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FDD6680AS | MOSFET N-CH 30V 55A TO252 | 11409 注文の詳細 |
在庫あり | 45960 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.07000 | $0.07 |
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