参考まで
部品番号 | IXTN200N10T |
LIXINC Part # | IXTN200N10T |
メーカー | Wickmann / Littelfuse |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IXTN200N10T PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IXTN200N10T |
ブランド: | Wickmann / Littelfuse |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Wickmann / Littelfuse |
シリーズ: | TrenchMV™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 200A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 5.5mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 152 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 9400 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 550W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Chassis Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | SOT-227B |
パッケージ・ケース: | SOT-227-4, miniBLOC |
RJK0366DSP-00#J0 | MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP | 23404 注文の詳細 |
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IPC90N04S53R6ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34 | 3346 注文の詳細 |
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IRF820ASPBF | MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK | 1723 注文の詳細 |
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RM11N800T2 | MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3 | 806 注文の詳細 |
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IRFI620GPBF | MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3 | 1533 注文の詳細 |
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DMP2109UVT-7 | MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26 | 819 注文の詳細 |
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SI4890DY-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | 820 注文の詳細 |
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NTLUS3A18PZTBG | MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN | 2297 注文の詳細 |
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IRF840STRRPBF | MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK | 840 注文の詳細 |
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IPB60R099CPAATMA1 | MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 | 1234 注文の詳細 |
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BUK7215-55A,118 | MOSFET N-CH 55V 55A DPAK | 1052 注文の詳細 |
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5LN01SS-TL-E | N-CHANNEL SILICON MOSFET | 8829 注文の詳細 |
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R6020ENX | MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM | 1283 注文の詳細 |
在庫あり | 12207 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $28.64600 | $28.646 |
10 | $28.64600 | $286.46 |
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