RS1E320GNTB

RS1E320GNTB
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部品番号 RS1E320GNTB
LIXINC Part # RS1E320GNTB
メーカー ROHM Semiconductor
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル RS1E320GNTB PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RS1E320GNTB 仕様

部品番号:RS1E320GNTB
ブランド:ROHM Semiconductor
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:ROHM Semiconductor
シリーズ:-
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Not For New Designs
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:32A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):4.5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:1.9mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:42.8 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:2850 pF @ 15 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):3W (Ta), 34.6W (Tc)
動作温度:150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:8-HSOP
パッケージ・ケース:8-PowerTDFN

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