参考まで
部品番号 | STB7NK80Z-1 |
LIXINC Part # | STB7NK80Z-1 |
メーカー | STMicroelectronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | STB7NK80Z-1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | STB7NK80Z-1 |
ブランド: | STMicroelectronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | STMicroelectronics |
シリーズ: | SuperMESH™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 800 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 5.2A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.8Ohm @ 2.6A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4.5V @ 100µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 56 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1138 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 125W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I2PAK |
パッケージ・ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
PMV25ENEA215 | PMV25E SMALL SIGNAL FET, SOT23 | 288854 注文の詳細 |
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MCH6341-TL-H | MOSFET P-CH 30V 5A 6MCPH | 1329686 注文の詳細 |
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STWA20N95DK5 | MOSFET N-CH 950V 18A TO247 | 935 注文の詳細 |
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2N7002H-13 | MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23 | 936 注文の詳細 |
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STO36N60M6 | MOSFET N-CH 600V 30A TOLL | 2558 注文の詳細 |
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SPD07N60C3ATMA1 | LOW POWER_LEGACY | 3803 注文の詳細 |
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RSF010P05TL | MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3 | 5139 注文の詳細 |
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NTB35N15T4G | MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK | 3811 注文の詳細 |
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STP4NK60Z | MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB | 2098 注文の詳細 |
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SI2301BDS-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 | 31793 注文の詳細 |
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FDPF13N50FT | MOSFET N-CH 500V 12A TO220F | 1900 注文の詳細 |
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IRF740R | N-CHANNEL POWER MOSFET | 860 注文の詳細 |
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APT34M60B | MOSFET N-CH 600V 36A TO247 | 853 注文の詳細 |
在庫あり | 10818 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.74650 | $1.7465 |
1000 | $1.39283 | $1392.83 |
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