参考まで
部品番号 | FDS6299S |
LIXINC Part # | FDS6299S |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FDS6299S PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FDS6299S |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | PowerTrench® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 21A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 3.9mOhm @ 21A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 81 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3.88 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SOIC |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
IRLL024NTRPBF | MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 | 48598 注文の詳細 |
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FDMC8854 | MOSFET N-CH 30V 15A 8MLP | 3804 注文の詳細 |
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FQAF44N08 | MOSFET N-CH 80V 35.6A TO3PF | 1626 注文の詳細 |
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IRFS3307TRLPBF | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 2482 注文の詳細 |
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SQ3419EV-T1_BE3 | MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP | 3758 注文の詳細 |
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2N6660 | MOSFET N-CH 60V 410MA TO39 | 1208 注文の詳細 |
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MCQ4435-TP | MOSFET P-CH 30V 9.1A 8SOP | 922 注文の詳細 |
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FDB8444TS | MOSFET N-CH 40V 20A/70A TO263-5 | 8280 注文の詳細 |
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5HN01C-TB-E | MOSFET N-CH 50V 100MA CP3 | 15714 注文の詳細 |
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IXFH20N100P | MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD | 2831983 注文の詳細 |
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NVMFS5C670NLAFT1G | MOSFET N-CHANNEL 60V 17A 5DFN | 851 注文の詳細 |
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APT20M18LVFRG | MOSFET N-CH 200V 100A TO264 | 867 注文の詳細 |
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R6007JNXC7G | MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM | 2927 注文の詳細 |
在庫あり | 26677 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.85000 | $1.85 |
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