参考まで
部品番号 | FQAF44N08 |
LIXINC Part # | FQAF44N08 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 80V 35.6A TO3PF |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQAF44N08 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQAF44N08 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 80 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 35.6A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 34mOhm @ 17.8A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 50 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±25V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.43 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 83W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-3PF |
パッケージ・ケース: | TO-3P-3 Full Pack |
IRFS3307TRLPBF | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 2537 注文の詳細 |
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SQ3419EV-T1_BE3 | MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP | 3855 注文の詳細 |
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2N6660 | MOSFET N-CH 60V 410MA TO39 | 1134 注文の詳細 |
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MCQ4435-TP | MOSFET P-CH 30V 9.1A 8SOP | 933 注文の詳細 |
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FDB8444TS | MOSFET N-CH 40V 20A/70A TO263-5 | 8257 注文の詳細 |
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5HN01C-TB-E | MOSFET N-CH 50V 100MA CP3 | 15818 注文の詳細 |
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IXFH20N100P | MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD | 2832066 注文の詳細 |
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NVMFS5C670NLAFT1G | MOSFET N-CHANNEL 60V 17A 5DFN | 843 注文の詳細 |
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APT20M18LVFRG | MOSFET N-CH 200V 100A TO264 | 817 注文の詳細 |
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R6007JNXC7G | MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM | 2866 注文の詳細 |
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IPD050N10N5ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 | 959 注文の詳細 |
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IXFN106N20 | MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B | 879 注文の詳細 |
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IXFT14N80P | MOSFET N-CH 800V 14A TO268 | 963 注文の詳細 |
在庫あり | 11563 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.77000 | $0.77 |
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