RS1E200BNTB

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部品番号 RS1E200BNTB
LIXINC Part # RS1E200BNTB
メーカー ROHM Semiconductor
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル RS1E200BNTB PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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RS1E200BNTB 仕様

部品番号:RS1E200BNTB
ブランド:ROHM Semiconductor
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:ROHM Semiconductor
シリーズ:-
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:20A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):4.5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:3.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:59 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:3100 pF @ 15 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):3W (Ta), 25W (Tc)
動作温度:150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:8-HSOP
パッケージ・ケース:8-PowerTDFN

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