参考まで
部品番号 | IPI04N03LA |
LIXINC Part # | IPI04N03LA |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPI04N03LA PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IPI04N03LA |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | OptiMOS™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 25 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 80A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 4.2mOhm @ 55A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 60µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 32 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3.877 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 107W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO262-3 |
パッケージ・ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
IPB35N10S3L26ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK | 937 注文の詳細 |
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TK200F04N1L,LXGQ | MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM | 2269 注文の詳細 |
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CSD16404Q5A | MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON | 3226 注文の詳細 |
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PSMN5R0-80BS,118 | MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK | 987 注文の詳細 |
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SFU9224TU | P-CHANNEL POWER MOSFET | 274427 注文の詳細 |
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IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON | 7729 注文の詳細 |
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J176_D74Z | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 801 注文の詳細 |
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IPP65R280C6XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3 | 20721 注文の詳細 |
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NVTFS6H860NWFTAG | MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN | 5443 注文の詳細 |
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IRFH5007TR2PBF | MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN | 989 注文の詳細 |
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2SK1419 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1611 注文の詳細 |
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RF1K49156 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2542 注文の詳細 |
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EPC2034C | GANFET N-CH 200V 48A DIE | 10699 注文の詳細 |
在庫あり | 11748 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.49000 | $0.49 |
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