参考まで
部品番号 | NTAT6H406NT4G |
LIXINC Part # | NTAT6H406NT4G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 80V 175A ATPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTAT6H406NT4G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | NTAT6H406NT4G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 80 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 175A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 2.9mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 110 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 8.04 pF @ 40 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 90W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | ATPAK |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
XP234N0801TR-G | MOSFET N-CH 30V 800MA SOT23 | 3158 注文の詳細 |
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SFP9520 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 20331 注文の詳細 |
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IRFD123PBF | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP | 869 注文の詳細 |
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AOTF4126 | MOSFET N-CH 100V 6A/27A TO220-3F | 935 注文の詳細 |
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BSC034N10LS5ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON | 951 注文の詳細 |
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STD27N3LH5 | MOSFET N-CH 30V 27A DPAK | 1284 注文の詳細 |
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AUIRFR8401TRL | MOSFET N-CH 40V 100A DPAK | 937 注文の詳細 |
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RTQ030P02TR | MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6 | 914 注文の詳細 |
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DMT4011LSS-13 | MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SO | 853 注文の詳細 |
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SIHP6N40D-GE3 | MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB | 1845 注文の詳細 |
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AOT12N50 | MOSFET N-CH 500V 12A TO220 | 839 注文の詳細 |
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SIHD5N80AE-GE3 | E SERIES POWER MOSFET DPAK (TO-2 | 977 注文の詳細 |
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IRF9610PBF-BE3 | MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB | 1948 注文の詳細 |
在庫あり | 75996 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.68000 | $1.68 |
3000 | $1.68000 | $5040 |
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