参考まで
部品番号 | TN2106N3-G |
LIXINC Part # | TN2106N3-G |
メーカー | Roving Networks / Microchip Technology |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | TN2106N3-G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 08 - Jul 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
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運送 | ![]() |
部品番号: | TN2106N3-G |
ブランド: | Roving Networks / Microchip Technology |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Roving Networks / Microchip Technology |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 300mA (Tj) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 2.5Ohm @ 500mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 50 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 740mW (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-92-3 |
パッケージ・ケース: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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在庫あり | 12472 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.53000 | $0.53 |
25 | $0.44112 | $11.028 |
100 | $0.39893 | $39.893 |
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