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部品番号 | SPA15N60CFDXKSA1 |
LIXINC Part # | SPA15N60CFDXKSA1 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SPA15N60CFDXKSA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 08 - Jul 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | ![]() |
運送 | ![]() |
部品番号: | SPA15N60CFDXKSA1 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | CoolMOS™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 650 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 13.4A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 330mOhm @ 9.4A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 750µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 84 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.82 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 34W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO220-FP |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 Full Pack |
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RU1C001UNTCL | MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F | 3128 注文の詳細 |
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BUK7S0R9-40HJ | MOSFET N-CH 40V 375A LFPAK88 | 2670 注文の詳細 |
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R6020PNJFRATL | MOSFET N-CH 600V 20A LPTS | 1782 注文の詳細 |
在庫あり | 11382 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.86000 | $1.86 |
500 | $1.86000 | $930 |
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