参考まで
部品番号 | FDP2D3N10C |
LIXINC Part # | FDP2D3N10C |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FDP2D3N10C PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FDP2D3N10C |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | PowerTrench® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 222A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 700µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 152 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 11.18 pF @ 50 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 214W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220-3 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
BSP250,135 | MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 | 4000 注文の詳細 |
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IRF610A | N-CHANNEL POWER MOSFET | 892 注文の詳細 |
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NTD3055-150 | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK | 5487 注文の詳細 |
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IPI052NE7N3G | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1342 注文の詳細 |
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FQPF9N25C | MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F | 974 注文の詳細 |
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NDS336P | MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3 | 122071 注文の詳細 |
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AO4402 | MOSFET N-CH 20V 20A 8SOIC | 15197 注文の詳細 |
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TP5322K1-G | MOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB | 2234 注文の詳細 |
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SQ4182EY-T1_BE3 | MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC | 3428 注文の詳細 |
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STF31N65M5 | MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP | 1803 注文の詳細 |
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IXFX160N30T | MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247-3 | 861 注文の詳細 |
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IPB530N15N3GATMA1 | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK | 868 注文の詳細 |
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FDFS2P103 | MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC | 30862 注文の詳細 |
在庫あり | 15503 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $4.03000 | $4.03 |
800 | $3.71745 | $2973.96 |
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