参考まで
部品番号 | MMBF170LT3G |
LIXINC Part # | MMBF170LT3G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | MMBF170LT3G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | MMBF170LT3G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 500mA (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 5Ohm @ 200mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 60 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 225mW (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | SOT-23-3 (TO-236) |
パッケージ・ケース: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
SSM3J338R,LF | MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F | 910 注文の詳細 |
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MTP4N40E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4551 注文の詳細 |
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STP150N10F7 | MOSFET N-CH 100V 110A TO220 | 1332 注文の詳細 |
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PMV16XNR | MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB | 858 注文の詳細 |
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RUR040N02HZGTL | MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 | 3531 注文の詳細 |
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DMN2990UFZ-7B | MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN | 806700883 注文の詳細 |
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FDS6685 | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC | 26894 注文の詳細 |
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SQJ211ELP-T1_GE3 | MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8 | 914 注文の詳細 |
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SUD80460E-GE3 | MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA | 4204 注文の詳細 |
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C3M0065100J | SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 | 881 注文の詳細 |
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AO6409A | MOSFET P-CH 20V 5.5A 6TSOP | 1455 注文の詳細 |
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NTHS5404T1G | MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET | 912 注文の詳細 |
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FDMS86350ET80 | MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56 | 8052 注文の詳細 |
在庫あり | 116122 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.04000 | $0.04 |
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