参考まで
部品番号 | STP150N10F7 |
LIXINC Part # | STP150N10F7 |
メーカー | STMicroelectronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 110A TO220 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | STP150N10F7 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | STP150N10F7 |
ブランド: | STMicroelectronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | STMicroelectronics |
シリーズ: | DeepGATE™, STripFET™ VII |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 110A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 4.2mOhm @ 55A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 117 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 8115 pF @ 50 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 250W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
PMV16XNR | MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB | 854 注文の詳細 |
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RUR040N02HZGTL | MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 | 3422 注文の詳細 |
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DMN2990UFZ-7B | MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN | 806700921 注文の詳細 |
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FDS6685 | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC | 26927 注文の詳細 |
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SQJ211ELP-T1_GE3 | MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8 | 942 注文の詳細 |
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SUD80460E-GE3 | MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA | 4055 注文の詳細 |
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C3M0065100J | SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 | 936 注文の詳細 |
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AO6409A | MOSFET P-CH 20V 5.5A 6TSOP | 1360 注文の詳細 |
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NTHS5404T1G | MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET | 838 注文の詳細 |
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FDMS86350ET80 | MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56 | 8172 注文の詳細 |
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PSMN6R0-25YLD115 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 44306 注文の詳細 |
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SIRA96DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8 | 906 注文の詳細 |
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STF5N95K3 | MOSFET N-CH 950V 4A TO220FP | 1900 注文の詳細 |
在庫あり | 11421 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.24000 | $2.24 |
1000 | $1.93760 | $1937.6 |
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