NVF6P02T3G

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部品番号 NVF6P02T3G
LIXINC Part # NVF6P02T3G
メーカー Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル NVF6P02T3G PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NVF6P02T3G 仕様

部品番号:NVF6P02T3G
ブランド:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
シリーズ:Automotive, AEC-Q101
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Not For New Designs
フェチタイプ:P-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:10A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):2.5V, 4.5V
(最大) @ id、vgs の rds:50mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ ID:1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:20 nC @ 4.5 V
vgs (最大):±8V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:1200 pF @ 16 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):8.3W (Ta)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:SOT-223 (TO-261)
パッケージ・ケース:TO-261-4, TO-261AA

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