参考まで
部品番号 | IPD60R400CEATMA1 |
LIXINC Part # | IPD60R400CEATMA1 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | 600V COOLMOS N-CHANNEL |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPD60R400CEATMA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IPD60R400CEATMA1 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | CoolMOS™ CE |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 10.3A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 400mOhm @ 3.8A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3.5V @ 300µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 32 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 700 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 83W (Tc) |
動作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-252-3 |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IRFS3806TRLPBF | MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK | 4185 注文の詳細 |
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C3M0350120D | SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3 | 920 注文の詳細 |
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STP60NF10 | MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB | 4625 注文の詳細 |
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MCH6444-TL-H | MOSFET N-CH 35V 2.5A 6MCPH | 3835 注文の詳細 |
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IRF9Z14LPBF | MOSFET P-CH 60V 6.7A I2PAK | 923 注文の詳細 |
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FDN306P | MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3 | 24717 注文の詳細 |
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RF4E060AJTCR | MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8 | 3889 注文の詳細 |
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NTLUS4195PZTAG | MOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN | 45967 注文の詳細 |
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PMPB16EPX | MOSFET P-CH 30V 7.5A DFN2020MD-6 | 825 注文の詳細 |
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UPA650TT-E1-A | MOSFET P-CH 12V 5A 6WSOF | 6403 注文の詳細 |
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PSMN0R9-30YLDX | MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56 | 943 注文の詳細 |
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FQT5P10TF | MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4 | 8437 注文の詳細 |
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TPH2R306NH,L1Q | MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP | 968 注文の詳細 |
在庫あり | 12295 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.40000 | $0.4 |
2500 | $0.40000 | $1000 |
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