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部品番号 | IPP80N04S404AKSA1 |
LIXINC Part # | IPP80N04S404AKSA1 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPP80N04S404AKSA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 27 - Oct 01 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IPP80N04S404AKSA1 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | OptiMOS™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 40 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 80A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 4.6mOhm @ 80A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 35µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 43 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3.44 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 71W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO220-3-1 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
FQP30N06L | MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3 | 24820 注文の詳細 |
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IPB025N10N3GATMA1 | MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 | 880 注文の詳細 |
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IRFBE30STRLPBF | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | 1609 注文の詳細 |
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SUP80090E-GE3 | MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB | 1454 注文の詳細 |
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IRF2807SPBF | MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK | 868 注文の詳細 |
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SPP11N65C3XK | SPP11N65 - 650V AND 700V COOLMOS | 819 注文の詳細 |
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IRLL014TRPBF | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | 2147 注文の詳細 |
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BUK7Y35-55B,115 | PFET, 28.43A I(D), 55V, 0.035OHM | 2208 注文の詳細 |
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IXFK210N30X3 | MOSFET N-CH 300V 210A TO264 | 952 注文の詳細 |
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SUM90142E-GE3 | MOSFET N-CH 200V 90A TO263 | 986 注文の詳細 |
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FCP4N60 | MOSFET N-CH 600V 3.9A TO220-3 | 3463829 注文の詳細 |
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IPP50R199CPXK | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1211 注文の詳細 |
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XP261N70023R-G | MOSFET N-CH 60V 150MA SOT323-3 | 3833 注文の詳細 |
在庫あり | 15319 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.54000 | $0.54 |
500 | $0.54000 | $270 |
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