参考まで
部品番号 | FQI3P20TU |
LIXINC Part # | FQI3P20TU |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 200V 2.8A I2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQI3P20TU PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQI3P20TU |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2.8A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 2.7Ohm @ 1.4A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 8 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 250 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3.13W (Ta), 52W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I2PAK (TO-262) |
パッケージ・ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
FQPF6N80CT | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F | 1572 注文の詳細 |
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IPS80R900P7AKMA1 | MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3 | 807 注文の詳細 |
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BUK7E3R1-40E,127-NXP | PFET, 100A I(D), 40V, 0.0031OHM, | 959 注文の詳細 |
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IMW65R027M1HXKSA1 | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH | 1041 注文の詳細 |
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SPW15N60CFD | N-CHANNEL POWER MOSFET | 884 注文の詳細 |
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FDMS86500L | MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN | 2754 注文の詳細 |
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IPP60R160P7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1 | 954 注文の詳細 |
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R6004ENJTL | MOSFET N-CH 600V 4A LPTS | 1609 注文の詳細 |
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SI3851DV-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 1.6A 6TSOP | 917 注文の詳細 |
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FDMA507PZ | MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET | 1449012864 注文の詳細 |
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IRFR9024NTRLPBF | MOSFET P-CH 55V 11A DPAK | 5461 注文の詳細 |
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STW21N65M5 | MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3 | 981 注文の詳細 |
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FDZ299P | MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA | 15365 注文の詳細 |
在庫あり | 11984 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.75000 | $0.75 |
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