参考まで
部品番号 | STW21N65M5 |
LIXINC Part # | STW21N65M5 |
メーカー | STMicroelectronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | STW21N65M5 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 28 - Oct 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | STW21N65M5 |
ブランド: | STMicroelectronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | STMicroelectronics |
シリーズ: | MDmesh™ V |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 650 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 17A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 190mOhm @ 8.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 50 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±25V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1950 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 125W (Tc) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-247-3 |
パッケージ・ケース: | TO-247-3 |
FDZ299P | MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA | 15324 注文の詳細 |
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IRFL214TRPBF-BE3 | MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223 | 2950 注文の詳細 |
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DMN2028UVT-13 | MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 | 843 注文の詳細 |
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APT6038SLLG | MOSFET N-CH 600V 17A D3PAK | 895 注文の詳細 |
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IXTP180N10T | MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB | 4409 注文の詳細 |
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SPP73N03S2L-08 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 948 注文の詳細 |
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IXTK120N65X2 | MOSFET N-CH 650V 120A TO264 | 86921 注文の詳細 |
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RM8N650LD | MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO252-2 | 994 注文の詳細 |
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IPA60R385CP | IPA60R385 - 600V COOLMOS N-CHANN | 1288 注文の詳細 |
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IXTH24P20 | MOSFET P-CH 200V 24A TO247 | 1156 注文の詳細 |
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FQD6N60CTM-WS | MOSFET N-CH 600V 4A DPAK | 880 注文の詳細 |
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PMV28UNEA215 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 935 注文の詳細 |
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R6012JNJGTL | MOSFET N-CH 600V 12A LPTS | 1986 注文の詳細 |
在庫あり | 11075 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.84000 | $3.84 |
30 | $3.22719 | $96.8157 |
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