TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

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部品番号 TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
LIXINC Part # TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
メーカー Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル TJ8S06M3L(T6L1,NQ) PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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TJ8S06M3L(T6L1,NQ) 仕様

部品番号:TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
ブランド:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:U-MOSVI
パッケージ:Tape & Reel (TR)
部品の状態:Active
フェチタイプ:P-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:8A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):6V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:104mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:3V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:19 nC @ 10 V
vgs (最大):+10V, -20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:890 pF @ 10 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):27W (Tc)
動作温度:175°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:DPAK+
パッケージ・ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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