参考まで
部品番号 | FQI2N80TU |
LIXINC Part # | FQI2N80TU |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQI2N80TU PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 22 - Oct 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQI2N80TU |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 800 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2.4A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 6.3Ohm @ 900mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 15 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 550 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3.13W (Ta), 85W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I2PAK |
パッケージ・ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
PHB66NQ03LT | NOW NEXPERIA 66A, 25V, 0.0136OHM | 951 注文の詳細 |
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IXFT150N25X3HV | MOSFET N-CH 250V 150A TO268HV | 1778 注文の詳細 |
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FQPF5N80 | MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F | 1564 注文の詳細 |
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SI7430DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8 | 6444 注文の詳細 |
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RM60N100DF | MOSFET N-CHANNEL 100V 60A 8DFN | 829 注文の詳細 |
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PMR780SN115 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 3894 注文の詳細 |
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CEDM7004 BK PBFREE | MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT-883 | 921 注文の詳細 |
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SI9435DY | MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC | 886 注文の詳細 |
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ATP304-TL-H | MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK | 856 注文の詳細 |
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FK8V03050L | MOSFET N CH 33V 8A WMINI8-F1 | 3180 注文の詳細 |
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SQJ147ELP-T1_GE3 | MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8 | 989 注文の詳細 |
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IXFP5N100P | MOSFET N-CH 1000V 5A TO220AB | 963 注文の詳細 |
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STP26N65DM2 | MOSFET N-CH 650V 20A TO220 | 933 注文の詳細 |
在庫あり | 11513 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.51000 | $0.51 |
1000 | $0.51000 | $510 |
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