参考まで
部品番号 | FQI2N90TU |
LIXINC Part # | FQI2N90TU |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQI2N90TU PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 27 - Oct 01 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | FQI2N90TU |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 900 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2.2A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 7.2Ohm @ 1.1A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 15 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 500 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3.13W (Ta), 85W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I2PAK (TO-262) |
パッケージ・ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
BSC016N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON | 3381 注文の詳細 |
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STL8N6F7 | MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT | 975 注文の詳細 |
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2N7002-TP | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | 839 注文の詳細 |
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NVMFS5826NLWFT1G | MOSFET N-CH 60V 8A 5DFN | 1702 注文の詳細 |
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TK7E80W,S1X | MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220 | 978 注文の詳細 |
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FQAF17P10 | MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF | 3790 注文の詳細 |
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BF2030-E6327 | RF N-CHANNEL MOSFET | 913 注文の詳細 |
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PSMN3R7-25YLC,115 | MOSFET N-CH 25V 97A LFPAK56 | 8083 注文の詳細 |
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CPH6445-TL-E | MOSFET N-CH 60V 3.5A 6CPH | 45906 注文の詳細 |
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ISZ0901NLSATMA1 | 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P | 5872 注文の詳細 |
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TK65S04N1L,LXHQ | MOSFET N-CH 40V 65A DPAK | 4980 注文の詳細 |
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IXTQ50N20P | MOSFET N-CH 200V 50A TO3P | 301778 注文の詳細 |
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NTD50N03RG | MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK | 4528 注文の詳細 |
在庫あり | 13824 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.51000 | $0.51 |
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