参考まで
部品番号 | FQAF17P10 |
LIXINC Part # | FQAF17P10 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQAF17P10 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 27 - Oct 01 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQAF17P10 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 12.4A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 190mOhm @ 6.2A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 39 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.1 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 56W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-3PF |
パッケージ・ケース: | TO-3P-3 Full Pack |
BF2030-E6327 | RF N-CHANNEL MOSFET | 874 注文の詳細 |
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PSMN3R7-25YLC,115 | MOSFET N-CH 25V 97A LFPAK56 | 8017 注文の詳細 |
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CPH6445-TL-E | MOSFET N-CH 60V 3.5A 6CPH | 45958 注文の詳細 |
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ISZ0901NLSATMA1 | 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P | 5864 注文の詳細 |
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TK65S04N1L,LXHQ | MOSFET N-CH 40V 65A DPAK | 4807 注文の詳細 |
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IXTQ50N20P | MOSFET N-CH 200V 50A TO3P | 301802 注文の詳細 |
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NTD50N03RG | MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK | 4418 注文の詳細 |
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IPP028N08N3GHKSA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 958 注文の詳細 |
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TPS1100PW | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8TSSOP | 1483 注文の詳細 |
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FDD5N50FTM | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4262 注文の詳細 |
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NTMFS4899NFT1G | MOSFET N-CH 30V 10.4A/75A 5DFN | 915 注文の詳細 |
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SI2303CDS-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3 | 5459 注文の詳細 |
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IRF530A | MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3 | 1037 注文の詳細 |
在庫あり | 13837 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.90000 | $0.9 |
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