参考まで
部品番号 | SIHB33N60ET5-GE3 |
LIXINC Part # | SIHB33N60ET5-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 33A TO263 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SIHB33N60ET5-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 29 - Oct 03 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | SIHB33N60ET5-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | E |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 33A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 99mOhm @ 16.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 150 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3508 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 278W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-263 (D²Pak) |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
TSM2318CX RFG | MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23 | 23534 注文の詳細 |
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SPP20N60S5XKSA1 | HIGH POWER_LEGACY | 1189 注文の詳細 |
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SI2369DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236 | 14527 注文の詳細 |
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PMPB07R3ENX | PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M- | 935 注文の詳細 |
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SQ4425EY-T1_BE3 | MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC | 3382 注文の詳細 |
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IRF7204TRPBF | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO | 1752 注文の詳細 |
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IXTP220N04T2 | MOSFET N-CH 40V 220A TO220AB | 826 注文の詳細 |
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IRLR014TRL | MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK | 926 注文の詳細 |
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STW14NK50Z | MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 | 1361 注文の詳細 |
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AO4405E | MOSFET P-CHANNEL 30V 6A 8SOIC | 875 注文の詳細 |
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SIHD2N80E-GE3 | MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK | 874 注文の詳細 |
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STB80NF03L-04-1 | MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK | 977 注文の詳細 |
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SFP9Z14 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 833 注文の詳細 |
在庫あり | 10939 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $4.01720 | $4.0172 |
800 | $3.76612 | $3012.896 |
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