参考まで
部品番号 | SPP20N60S5XKSA1 |
LIXINC Part # | SPP20N60S5XKSA1 |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | HIGH POWER_LEGACY |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SPP20N60S5XKSA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 29 - Oct 03 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SPP20N60S5XKSA1 |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | * |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Not For New Designs |
フェチタイプ: | - |
テクノロジー: | - |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | - |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | - |
取付タイプ: | - |
サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
パッケージ・ケース: | - |
SI2369DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236 | 14664 注文の詳細 |
|
PMPB07R3ENX | PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M- | 889 注文の詳細 |
|
SQ4425EY-T1_BE3 | MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC | 3443 注文の詳細 |
|
IRF7204TRPBF | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO | 1632 注文の詳細 |
|
IXTP220N04T2 | MOSFET N-CH 40V 220A TO220AB | 980 注文の詳細 |
|
IRLR014TRL | MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK | 814 注文の詳細 |
|
STW14NK50Z | MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 | 1250 注文の詳細 |
|
AO4405E | MOSFET P-CHANNEL 30V 6A 8SOIC | 836 注文の詳細 |
|
SIHD2N80E-GE3 | MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK | 917 注文の詳細 |
|
STB80NF03L-04-1 | MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK | 917 注文の詳細 |
|
SFP9Z14 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 930 注文の詳細 |
|
IRF4905PBF | MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB | 6878 注文の詳細 |
|
IPD50N03S2L06ATMA1 | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31 | 943 注文の詳細 |
在庫あり | 11146 - 注文の詳細 |
---|---|
見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $5.48000 | $5.48 |
500 | $3.64884 | $1824.42 |
Lixinc は最も競争力のある価格を提供します。見積もりを参照してください。