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部品番号 | FDU8770 |
LIXINC Part # | FDU8770 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 25V 35A IPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FDU8770 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FDU8770 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | PowerTrench® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 25 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 35A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 4mOhm @ 35A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 73 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3.72 pF @ 13 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 115W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I-PAK |
パッケージ・ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
HUFA76619D3ST | MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA | 2649 注文の詳細 |
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MMDFS2P102R2 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 929 注文の詳細 |
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NTTFS6H850NTAG | MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN | 826 注文の詳細 |
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IPD650P06NMATMA1 | MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3 | 2603 注文の詳細 |
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STP11NK50ZFP | MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP | 2825 注文の詳細 |
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RJK0368DPA-00#J0 | MOSFET N-CH 30V 20A 8WPAK | 61881 注文の詳細 |
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BSC027N10NS5ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON | 14886 注文の詳細 |
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STS13N3LLH5 | MOSFET N-CH 30V 13A 8SO | 802 注文の詳細 |
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AON7538 | MOSFET N-CH 30V 23A/30A 8DFN | 884 注文の詳細 |
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BSC882N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 34V 22A/100A TDSON | 35967 注文の詳細 |
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TN0104N3-G | MOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3 | 1281 注文の詳細 |
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IRFP4668PBF | MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC | 809 注文の詳細 |
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FQB7P20TM | MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK | 2249 注文の詳細 |
在庫あり | 17985 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.44000 | $1.44 |
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