NVMFS6H818NWFT1G

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部品番号 NVMFS6H818NWFT1G
LIXINC Part # NVMFS6H818NWFT1G
メーカー Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル NVMFS6H818NWFT1G PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NVMFS6H818NWFT1G 仕様

部品番号:NVMFS6H818NWFT1G
ブランド:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
シリーズ:Automotive, AEC-Q101
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:20A (Ta), 123A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):10V
(最大) @ id、vgs の rds:3.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:4V @ 190µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:46 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:3100 pF @ 40 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):3.8W (Ta), 136W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ・ケース:8-PowerTDFN, 5 Leads

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