PSMN8R5-100ESQ

PSMN8R5-100ESQ
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部品番号 PSMN8R5-100ESQ
LIXINC Part # PSMN8R5-100ESQ
メーカー Rochester Electronics
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル PSMN8R5-100ESQ PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

PSMN8R5-100ESQ 仕様

部品番号:PSMN8R5-100ESQ
ブランド:Rochester Electronics
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Rochester Electronics
シリーズ:-
パッケージ:Bulk
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:100A (Tj)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):10V
(最大) @ id、vgs の rds:8.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:4V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:111 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:5.512 pF @ 50 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):263W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:Through Hole
サプライヤー デバイス パッケージ:I2PAK
パッケージ・ケース:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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