参考まで
部品番号 | IRLR110 |
LIXINC Part # | IRLR110 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRLR110 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRLR110 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 4.3A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4V, 5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 540mOhm @ 2.6A, 5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 6.1 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 250 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D-Pak |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
AOB10N60L | MOSFET N-CH 600V 10A TO263 | 902 注文の詳細 |
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HUFA76413D3S | MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA | 9182 注文の詳細 |
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IPW65R075CFD7AXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41 | 1222 注文の詳細 |
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TK065U65Z,RQ | DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ | 4982 注文の詳細 |
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BSS138WH6433XTMA1 | MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3 | 1336 注文の詳細 |
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BSZ12DN20NS3G | BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P | 14412 注文の詳細 |
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IPD12CN10NGATMA1 | MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 | 1532 注文の詳細 |
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MTD1312T4 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 5545 注文の詳細 |
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IRFB3306PBF | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB | 2695 注文の詳細 |
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FDC655AN | MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 | 300844 注文の詳細 |
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STU13N65M2 | MOSFET N-CH 650V 10A IPAK | 3908 注文の詳細 |
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SIHP6N40D-E3 | MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB | 1831 注文の詳細 |
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IXTA76P10T | MOSFET P-CH 100V 76A TO263 | 1802 注文の詳細 |
在庫あり | 10886 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.49226 | $1.49226 |
3000 | $1.49226 | $4476.78 |
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