参考まで
部品番号 | RRQ030P03TR |
LIXINC Part # | RRQ030P03TR |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RRQ030P03TR PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | RRQ030P03TR |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 3A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 75mOhm @ 3A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 12 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 480 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 600mW (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TSMT6 (SC-95) |
パッケージ・ケース: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
FDMS86200 | MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN | 2147484567 注文の詳細 |
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IXFR21N100Q | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 | 917 注文の詳細 |
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PSMN030-60YS,115 | MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56 | 6072 注文の詳細 |
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STF11N65M5 | MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP | 995 注文の詳細 |
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DMG8880LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 11A TO252 | 3107 注文の詳細 |
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BSC190N12NS3GATMA1 | MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON | 21281 注文の詳細 |
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MTW16N40E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 25387 注文の詳細 |
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PMXB360ENEAZ | MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 | 1131 注文の詳細 |
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TPH1R005PL,L1Q | MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP | 15714 注文の詳細 |
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NVMFS4841NWFT1G | MOSFET N-CH 30V 16A 5DFN | 2444 注文の詳細 |
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NTP5862NG | MOSFET N-CH 60V 98A TO220AB | 2687 注文の詳細 |
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DMTH6010SCT | MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 | 264134 注文の詳細 |
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STFW3N170 | MOSFET N-CH 1700V 2.6A ISOWATT | 896 注文の詳細 |
在庫あり | 13882 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.57000 | $0.57 |
3000 | $0.18955 | $568.65 |
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