参考まで
部品番号 | FDMC7672 |
LIXINC Part # | FDMC7672 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FDMC7672 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FDMC7672 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | PowerTrench®, SyncFET™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 16.9A (Ta), 20A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 5.7mOhm @ 16.9A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 57 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 3.89 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.3W (Ta), 33W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-MLP (3.3x3.3) |
パッケージ・ケース: | 8-PowerWDFN |
STP21N65M5 | MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB | 4187 注文の詳細 |
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STF14NM50N | MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP | 2218 注文の詳細 |
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SFS9634 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 11672 注文の詳細 |
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PMN30UNX | MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP | 7578 注文の詳細 |
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NTD4863NT4G | MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK | 181764 注文の詳細 |
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PSMN015-100B,118 | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | 1694 注文の詳細 |
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TN0702N3-G | MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3 | 1852 注文の詳細 |
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AUIRFS8407TRL | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | 8773 注文の詳細 |
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SPW11N60CFD | N-CHANNEL POWER MOSFET | 958 注文の詳細 |
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C3M0025065D | GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET | 1133 注文の詳細 |
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BUK964R2-60E,118 | MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK | 863 注文の詳細 |
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IXTY8N65X2 | MOSFET N-CH 650V 8A TO252 | 842 注文の詳細 |
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STE139N65M5 | MOSFET N-CH 650V 130A ISOTOP | 821 注文の詳細 |
在庫あり | 106711 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.44000 | $0.44 |
3000 | $0.44000 | $1320 |
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