参考まで
部品番号 | FQU2N60TU |
LIXINC Part # | FQU2N60TU |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 2A IPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQU2N60TU PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQU2N60TU |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 4.7Ohm @ 1A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 11 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 350 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | I-PAK |
パッケージ・ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
FDMS10C4D2N | MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN | 2688 注文の詳細 |
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XP161A1355PR-G | MOSFET N-CH 20V 4A SOT89 | 927 注文の詳細 |
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NVMFS5C442NLWFAFT1G | MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN | 998 注文の詳細 |
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IPP60R105CFD7XKSA1 | MOSFET N CH | 1254 注文の詳細 |
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IPB023N04NG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2089 注文の詳細 |
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STB100NF03L-03T4 | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 984 注文の詳細 |
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IXFN32N100P | MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B | 1670 注文の詳細 |
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APT6029SLLG | MOSFET N-CH 600V 21A D3PAK | 836 注文の詳細 |
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FDD86102 | MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK | 1533 注文の詳細 |
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IPB020N10N5ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | 935 注文の詳細 |
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SPB80N03S2L05 | 80A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET | 73559 注文の詳細 |
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2SK4210 | MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB | 3479 注文の詳細 |
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STF24N60M6 | MOSFET N-CH 600V TO220FP | 1716 注文の詳細 |
在庫あり | 11046 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.67000 | $0.67 |
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