参考まで
部品番号 | RQ3E100MNTB1 |
LIXINC Part # | RQ3E100MNTB1 |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RQ3E100MNTB1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | RQ3E100MNTB1 |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | * |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 10A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 12.3mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 9.9 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 520 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2W (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-HSMT (3.2x3) |
パッケージ・ケース: | 8-PowerVDFN |
BTS131E3045ANTMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 9812 注文の詳細 |
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FQB6N70TM | MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK | 4305 注文の詳細 |
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UJ3C065030T3S | MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3 | 1273 注文の詳細 |
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SPB21N50C3ATMA1 | MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3 | 2013 注文の詳細 |
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IRFB4019PBF | MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB | 2909 注文の詳細 |
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2SK1934-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1357 注文の詳細 |
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SI4174DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 17A 8SO | 5157 注文の詳細 |
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APT6013LLLG | MOSFET N-CH 600V 43A TO264 | 926 注文の詳細 |
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NTD4804NA-35G | MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK | 3184 注文の詳細 |
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SI3443CDV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP | 8575 注文の詳細 |
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IRFPC50APBF | MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 | 854 注文の詳細 |
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SFW9Z24TM | P-CHANNEL POWER MOSFET | 2586 注文の詳細 |
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FDMC007N08LC | MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN | 941 注文の詳細 |
在庫あり | 16279 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.99000 | $0.99 |
3000 | $0.42000 | $1260 |
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