RQ3E100MNTB1

RQ3E100MNTB1
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部品番号 RQ3E100MNTB1
LIXINC Part # RQ3E100MNTB1
メーカー ROHM Semiconductor
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル RQ3E100MNTB1 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RQ3E100MNTB1 仕様

部品番号:RQ3E100MNTB1
ブランド:ROHM Semiconductor
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:ROHM Semiconductor
シリーズ:*
パッケージ:Tape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:10A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):4.5V, 10V
(最大) @ id、vgs の rds:12.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:9.9 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:520 pF @ 15 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):2W (Ta)
動作温度:150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:8-HSMT (3.2x3)
パッケージ・ケース:8-PowerVDFN

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