参考まで
部品番号 | MRF8S21120HSR3 |
LIXINC Part # | MRF8S21120HSR3 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
説明 | RF S BAND, N-CHANNEL |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | MRF8S21120HSR3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 20 - Sep 24 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | MRF8S21120HSR3 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
トランジスタタイプ: | LDMOS |
周波数: | 2.17GHz |
得: | 17.6dB |
電圧 - テスト: | 28 V |
定格電流 (アンペア): | - |
雑音指数: | - |
現在 - テスト: | 850 mA |
電力出力: | 28W |
電圧 - 定格: | 65 V |
パッケージ・ケース: | NI-780S |
サプライヤー デバイス パッケージ: | NI-780S |
MRF8P8300HSR6 | FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S | 902 注文の詳細 |
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CGHV40100P | RF MOSFET HEMT 50V 440206 | 1011 注文の詳細 |
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GTVA123501FA-V1 | 350W GAN HEMT, 50V, 1.2-1.4GHZ | 900 注文の詳細 |
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MRF1511NT1 | RF VERY HIGH FREQUENCY BAND, N-C | 803 注文の詳細 |
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BLF8G20LS-160VU | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B | 844 注文の詳細 |
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BLC2425M10LS250Z | BLC2425M10LS250/SOT1273/TRAYDP | 1050 注文の詳細 |
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2SK772E | N-CHANNEL JUNCTION SILICON FET | 38341 注文の詳細 |
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MMBFJ310LT1 | RF N-CHANNEL, JUNCTION FET | 3878 注文の詳細 |
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MRF5S21045NBR1 | FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4 | 962 注文の詳細 |
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BLF8G22LS-270J | RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B | 890 注文の詳細 |
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2SK3105-T1B-A | SMALL SIGNAL FET | 3856 注文の詳細 |
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NE5550779A-T1-A | RF POWER N-CHANNEL, MOSFET | 11808 注文の詳細 |
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BLF8G22LS-270GVJ | RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C | 853 注文の詳細 |
在庫あり | 11369 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $88.37000 | $88.37 |
250 | $ 47.84064 | $11960.16 |
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