参考まで
| 部品番号 | MRF6VP11KHR5 |
| LIXINC Part # | MRF6VP11KHR5 |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | RF MOSFET LDMOS DL 50V NI1230S-4 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MRF6VP11KHR5 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MRF6VP11KHR5 |
| ブランド: | NXP Semiconductors |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | NXP Semiconductors |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Last Time Buy |
| トランジスタタイプ: | LDMOS (Dual) |
| 周波数: | 130MHz |
| 得: | 26dB |
| 電圧 - テスト: | 50 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 150 mA |
| 電力出力: | 1000W |
| 電圧 - 定格: | 110 V |
| パッケージ・ケース: | NI-1230S-4 GW |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | NI-1230S-4 GULL |
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AFT18H356-24SR6 | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-4 | 843 注文の詳細 |
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MRFE6P3300HR3 | RF 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUEN | 944 注文の詳細 |
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BLF8G22LS-205VJ | RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B | 946 注文の詳細 |
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MRF8P20100HSR3 | RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL | 849 注文の詳細 |
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WP2806008UH | RF GAN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 8W | 884 注文の詳細 |
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MRF6V2150NBR1 | FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 | 951 注文の詳細 |
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SD2931-10W | IC TRANS RF HF/VHF/UHF M174 | 1095 注文の詳細 |
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BLC10G22XS-400AVTZ | BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY | 995 注文の詳細 |
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BLP7G22-10Z | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | 1695 注文の詳細 |
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NE3520S03-T1C-A | RF K BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C | 3039 注文の詳細 |
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PD20015C | FET RF 40V 2GHZ M243 | 918 注文の詳細 |
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MRFE6VP6300HR5 | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 | 1356 注文の詳細 |
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BF1108R,215 | IC RF SWITCH SOT-143R | 889 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10835 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $574.34000 | $574.34 |
| 50 | $252.52057 | $12626.0285 |
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