参考まで
| 部品番号 | BLM8G0710S-30PBY |
| LIXINC Part # | BLM8G0710S-30PBY |
| メーカー | Ampleon |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | BLM8G0710S-30PBY PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | BLM8G0710S-30PBY |
| ブランド: | Ampleon |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | Ampleon |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | LDMOS (Dual) |
| 周波数: | 957.5MHz |
| 得: | 35dB |
| 電圧 - テスト: | 28 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 30 mA |
| 電力出力: | 3W |
| 電圧 - 定格: | 65 V |
| パッケージ・ケース: | SOT-1211-3 |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 16-HSOPF |
 |
MRF8P9040NR1 | RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 1198 注文の詳細 |
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ARF461AG | RF MOSFET N-CH 1000V TO247 | 895 注文の詳細 |
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CG2H80030D-GP4 | RF MOSFET HEMT 28V DIE | 1204 注文の詳細 |
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MRFE6VP8600HSR5 | FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S | 843 注文の詳細 |
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BLF7G10L-250,112 | RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F | 1041 注文の詳細 |
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PD55015-E | FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 | 1259 注文の詳細 |
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BLF8G27LS-100J | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B | 908 注文の詳細 |
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MCH6305-H-TL-E | PCH 2.5V DRIVE SERIES | 279819 注文の詳細 |
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A2T26H300-24SR6 | IC TRANS RF LDMOS | 984 注文の詳細 |
 |
A2G35S200-01SR3 | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR | 1023 注文の詳細 |
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PTVA035002EV-V1-R250 | RF LDMOS FET 500W, 390 - 450MHZ | 829 注文の詳細 |
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BLC10M6XS200Y | BLC10M6XS200/SOT1270/REELDP | 821 注文の詳細 |
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CGH60008D-GP4 | RF MOSFET HEMT 28V DIE | 1255 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11028 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $39.57000 | $39.57 |
| 100 | $31.77763 | $3177.763 |
| 300 | $29.65908 | $8897.724 |
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