参考まで
部品番号 | ALD114935PAL |
LIXINC Part # | ALD114935PAL |
メーカー | Advanced Linear Devices, Inc. |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | ALD114935PAL PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | ALD114935PAL |
ブランド: | Advanced Linear Devices, Inc. |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Advanced Linear Devices, Inc. |
シリーズ: | EPAD® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
フェチ機能: | Depletion Mode |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 10.6V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 12mA, 3mA |
(最大) @ id、vgs の rds: | 540Ohm @ 0V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3.45V @ 1µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2.5pF @ 5V |
パワー - 最大: | 500mW |
動作温度: | 0°C ~ 70°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
パッケージ・ケース: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-PDIP |
DMN62D0UT-7 | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 | 3050 注文の詳細 |
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IRF7319TRPBF | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | 993 注文の詳細 |
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NTMD6N02R2 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 22320 注文の詳細 |
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DMC3401LDW-13 | MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 | 827 注文の詳細 |
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SIA913ADJ-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6 | 16755 注文の詳細 |
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SI6926ADQ-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP | 20761 注文の詳細 |
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ALD310704PCL | MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP | 946 注文の詳細 |
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DMC4028SSD-13 | MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC | 460013365 注文の詳細 |
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SI4943BDY-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC | 3982 注文の詳細 |
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SQ4284EY-T1_BE3 | MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC | 3296 注文の詳細 |
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FDC6401N | MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6 | 905 注文の詳細 |
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SI8900EDB-T2-E1 | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP | 941 注文の詳細 |
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AON6906A | MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/10A 8DFN | 899 注文の詳細 |
在庫あり | 10930 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $4.80160 | $4.8016 |
50 | $4.70331 | $235.1655 |
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