参考まで
部品番号 | SIZ300DT-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIZ300DT-T1-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SIZ300DT-T1-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SIZ300DT-T1-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
フェチ機能: | Logic Level Gate |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 11A, 28A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 24mOhm @ 9.8A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 12nC @ 10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 400pF @ 15V |
パワー - 最大: | 16.7W, 31W |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 8-PowerWDFN |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-PowerPair® |
BSM180D12P3C007 | SIC POWER MODULE | 909 注文の詳細 |
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FDMC3300NZA | N-CHANNEL POWER MOSFET | 10065 注文の詳細 |
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PMDPB55XP,115 | MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON | 836 注文の詳細 |
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FW274-TL-E | N-CHANNEL MOSFET | 15825 注文の詳細 |
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ZXMC3AM832TA | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP | 1560 注文の詳細 |
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PMV50ENEA,215 | 3.9A, 30V, N CHANNEL, SILICON, M | 9920 注文の詳細 |
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CSD75301W1015 | SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | 2258 注文の詳細 |
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PMV280ENEA,215 | 1.1A, 100V, N CHANNEL, SILICON, | 3889 注文の詳細 |
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SI7913DN-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8 | 3141 注文の詳細 |
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DMN61D8LVTQ-7 | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | 8697 注文の詳細 |
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SI4210DY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | 1242 注文の詳細 |
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IRF7331TRPBF | 7A, 20V, N CHANNEL, MOSFET | 993 注文の詳細 |
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SI5935CDC-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8 | 3738 注文の詳細 |
在庫あり | 10969 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.18000 | $1.18 |
3000 | $0.52104 | $1563.12 |
6000 | $0.49498 | $2969.88 |
15000 | $0.47638 | $7145.7 |
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