参考まで
部品番号 | ALD110808APCL |
LIXINC Part # | ALD110808APCL |
メーカー | Advanced Linear Devices, Inc. |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | ALD110808APCL PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | ALD110808APCL |
ブランド: | Advanced Linear Devices, Inc. |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Advanced Linear Devices, Inc. |
シリーズ: | EPAD® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | 4 N-Channel, Matched Pair |
フェチ機能: | Standard |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 10.6V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 12mA, 3mA |
(最大) @ id、vgs の rds: | 500Ohm @ 4.8V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 810mV @ 1µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2.5pF @ 5V |
パワー - 最大: | 500mW |
動作温度: | 0°C ~ 70°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
パッケージ・ケース: | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 16-PDIP |
FDMS3686S | MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56 | 3825 注文の詳細 |
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ALD110904SAL | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | 890 注文の詳細 |
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FS45MR12W1M1B11BOMA1 | MOSFET MODULE 1200V 50A | 956 注文の詳細 |
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BSL214NL6327 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 9545 注文の詳細 |
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SQJ262EP-T1_GE3 | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 | 1747 注文の詳細 |
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IRF7309PBF | P-CHANNEL POWER MOSFET | 1867 注文の詳細 |
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SI5517DU-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET | 1067 注文の詳細 |
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SI4276DY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO | 935 注文の詳細 |
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DMP3048LSD-13 | MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 4.8A 8SO | 993 注文の詳細 |
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FDMS3668S | MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56 | 925 注文の詳細 |
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SI3948DV-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP | 825 注文の詳細 |
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ALD110902SAL | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | 954 注文の詳細 |
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US6M11TR | MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6 | 11333 注文の詳細 |
在庫あり | 10826 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $7.23860 | $7.2386 |
50 | $5.93205 | $296.6025 |
100 | $5.35323 | $535.323 |
500 | $4.48513 | $2242.565 |
1000 | $4.05110 | $4051.1 |
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