RN1108(T5L,F,T) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN1108(T5L,F,T)

RN1108(T5L,F,T)

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部品番号	RN1108(T5L,F,T)
LIXINC Part #	RN1108(T5L,F,T)
メーカー	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー	ディスクリート半導体 › トランジスタ - バイポーラ (bjt) - シングル、プリバイアス
説明	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	RN1108(T5L,F,T) PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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RN1108(T5L,F,T) 仕様

部品番号:	RN1108(T5L,F,T)
ブランド:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	トランジスタ - バイポーラ (bjt) - シングル、プリバイアス
メーカー:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:	-
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Active
トランジスタタイプ:	NPN - Pre-Biased
電流 - コレクター (ic) (最大):	100 mA
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン (最大):	50 V
抵抗 - ベース (r1):	22 kOhms
抵抗 - エミッターベース (r2):	47 kOhms
DC 電流ゲイン (hfe) (最小) @ ic、vce:	80 @ 10mA, 5V
vce 飽和 (最大) @ ib、ic:	300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタカットオフ (最大):	500nA
周波数 - 遷移:	250 MHz
パワー - 最大:	100 mW
取付タイプ:	Surface Mount
パッケージ・ケース:	SC-75, SOT-416
サプライヤーデバイスパッケージ:	SSM

DTC114TEBTL	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F	1728 注文の詳細
DDTA124TUA-7-F	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323	9270 注文の詳細
NSBA113EF3T5G	SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,	320945 注文の詳細
DRC3124X0L	TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3	20930 注文の詳細
SMUN5133T1G	TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3	1037 注文の詳細
PDTC144WM,315	PDTC144W - UPN RESISTOR-EQUIPPED	120854 注文の詳細
DTD114EKT146	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3	15194 注文の詳細
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