APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG
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部品番号 APT10M09B2VFRG
LIXINC Part # APT10M09B2VFRG
メーカー Microsemi
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル APT10M09B2VFRG PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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APT10M09B2VFRG 仕様

部品番号:APT10M09B2VFRG
ブランド:Microsemi
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Microsemi
シリーズ:POWER MOS V®
パッケージ:Tube
部品の状態:Obsolete
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:100A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):10V
(最大) @ id、vgs の rds:9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:4V @ 2.5mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:350 nC @ 10 V
vgs (最大):±30V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:9875 pF @ 25 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):625W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Through Hole
サプライヤー デバイス パッケージ:T-MAX™ [B2]
パッケージ・ケース:TO-247-3 Variant

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