参考まで
部品番号 | IRF7902PBF |
LIXINC Part # | IRF7902PBF |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRF7902PBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRF7902PBF |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
フェチ機能: | Logic Level Gate |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 6.4A, 9.7A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 22.6mOhm @ 6.4A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.25V @ 25µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 6.9nC @ 4.5V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 580pF @ 15V |
パワー - 最大: | 1.4W, 2W |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SO |
SI4501ADY-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC | 979 注文の詳細 |
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SI4226DY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC | 842 注文の詳細 |
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NTMFD4C88NT3G | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN | 939 注文の詳細 |
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TMC1340-SO | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC | 808 注文の詳細 |
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EPC2101ENGRT | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID | 913 注文の詳細 |
|
SI4972DY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC | 889 注文の詳細 |
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AON6908ALS_101 | MOSFET N-CH | 913 注文の詳細 |
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NVMFD5483NLT3G | MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN | 851 注文の詳細 |
|
SP8M3FU7TB1 | MOSFET N/P-CH 30V 8SOP | 931 注文の詳細 |
|
SI6983DQ-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP | 889 注文の詳細 |
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IRF7325 | MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC | 906 注文の詳細 |
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STS3C2F100 | MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC | 943 注文の詳細 |
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SI4814BDY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC | 894 注文の詳細 |
在庫あり | 10865 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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